厚銅工藝：厚銅工藝是為了解決目前Power IC在現有晶圓代工廠厚鋁只有3μm，因而無法滿足低阻抗需求及電流帶載能力不足而開發的工藝。因方塊電阻的阻值與金屬厚度成反比，頎中科技以電鍍技術在晶圓片上電鍍出10μm以上的厚銅凸塊，使原本的方塊電阻大幅下降，加大電流帶載能力，提升轉換效率。在厚銅上可搭上更多的金線、銅線，也可降低接觸電阻。
晶圓級芯片尺寸封裝(Wafer Level Chip Scale Packaging)是先在整片晶圓上進行封裝和測試，然后經切割并將IC直接用機臺以pick up & flip方式將其放置于Carrier tape中，并以Cover tape保護好后，提供后段SMT (Surface Mounting technology)直接以機臺將該IC自Carrier tape取料后，置放于PCB上。
WLCSP 少掉基材、銅箔等，使其以晶圓形態進行研磨、切割后完成的IC厚度和一般QFP、BGA……等等封裝方式比較起來更為薄、小、輕，較符合未來產品輕、薄之需求；且因其不需再進行封裝，即可進行后段SMT制程，故其成本價格較一般傳統封裝更低。
※ LCD Driver IC（DDI/TDDI）: 應用于各大中小尺寸平面顯示器面板(LCD Panel, PDP Panel, or OLED Panel…)的驅動IC
※ CIS：CMOS image sensor
※ Finger Print sensor
※ RFID射頻智能卡
※ Medical devices
※ Power IC
※ Others